NE6510179A datasheet
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>> NE6510179A 射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
NE6510179A
库存数量:
可订货
制造商:
NEC/CEL
描述:
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
NE6510179A PDF下载
制造商
NEC/CEL
技术类型
HEMT
频率
1.9 GHz
增益
10 dB
噪声系数
正向跨导 gFS(最大值/最小值)
漏源电压 VDS
8 V
闸/源击穿电压
- 4 V
漏极连续电流
2.8 A
最大工作温度
+ 150 C
功率耗散
15 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
79A
相关资料
属性
链接
代理商
NE6510179A
NE6510179A-A
NE651017-9AEO
NE6510179A-EVPW19
NE6510179A-EVPW24
NE6510179A-EVPW26
供应商
公司名
电话
深圳市硅宇电子有限公司
13424293654
唐先生
深圳市奥伟斯科技有限公司
0755-83254770
江小姐 ADS触摸芯片一级代理
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
林沃田信息技术(深圳)有限公司
0755-82781160
岳先生 田小姐
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
13041943973
小徐
无锡固电半导体股份有限公司
15961889159
张小姐
NE6510179A 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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